Магазин электроники
-
Каталог товаров
-
Компьютеры и комплектующие
-
Накопители и аксессуары
-
SSD накопители
-
SSD-накопитель M.2 NVMe 1Тб GoodRam PX500
-
Код товара: НТ41186
Код товара скопирован!
`
SSD-накопитель M.2 NVMe 1Тб GoodRam PX500
Увеличить
SSD-накопитель M.2 NVMe 1Тб GoodRam PX500
1 / 1

SSD-накопитель M.2 NVMe 1Тб GoodRam PX500

★ ★ ★ ★ ★
0 отзывов
SSD-накопитель M.2 NVMe 1Тб GoodRam PX500 (SSDPR-PX500-01T-80); 2050/1650 МБ/сек; 1.5 млн.ч; Silicon Motion SM2263XT; 3bit TLC 3D NAND
Нет в наличии
Кешбэк: 750 ₽
СБП При СБП: 1499 ₽
?
При оплате по cистеме быстрых платежей двойной кешбек 1499 ₽
14 990 ₽
Гарантия 12 мес.
Оплату принимаем
Наличными
Оплата картой (любого банка)
Оплата онлайн по системе быстрых платежей дает двойной кешбек
Курьерская доставка
Доставка 1-2 дня
14 дней обмен/возврат
Бесплатная доставка при заказе на сумму от 10 000 руб. по Донецку и Макеевке.

Описание товара

1024 ГБ SSD M.2 накопитель Goodram PX500 [SSDPR-PX500-01T-80] с подключением к интерфейсу PCI-E 3.0 x4 является средством повышения производительности систему благодаря большим поддерживаемым скоростям обмена данными. Устройство долговременной памяти с низким энергопотреблением и на 100% бесшумной работой относится к форм-фактору 2280. Скорость считывания цифровых данных в этой модели достигает 2050 МБит/сек, а запись осуществляется на скоростях до 1650 МБит/сек. Твердотельный M.2 накопитель Goodram PX500 [SSDPR-PX500-01T-80] реализован на основе чипов памяти TLC 3D NAND. Внушительный объем, достигающий 1 ТБ, позволяет применять устройство в компьютере как в качестве дополнительного устройства долговременной памяти наряду с жестким диском, так и как самостоятельный диск. Среднее время работы между отказами для данного диска оценивается производителем на уровне 1.5 млн ч.

Технические характеристики

Средняя наработка на отказ
1.5 млн.ч

Объем и подключение

Объем накопителя
1 Тб
Форм-фактор
M.2 NVMe
Интерфейс
PCI-E 3.1 x4
NVMe
есть

Конфигурация

Контроллер
Silicon Motion SM2263XT
Количество бит на ячейку
3 бит TLC
Структура памяти
3D NAND

Показатели скорости

Последовательное чтение
2050 Мб/сек
Последовательная запись
1650 Мб/сек
Случайное чтение (4 Кб, QD32)
171 000 IOPS
Случайная запись (4 Кб, QD32)
143 000 IOPS

Эксплуатация

Время наработки на отказ (MTBF)
1.5 млн. часов
Ресурс записи (TBW)
660 Тб
Количество перезаписей (DWPD)
33%

Габариты и конструкция

Радиатор в комплекте
есть
Длина
80 мм
Ширина
22 мм
Толщина
3.5 мм

Скорость чтения

Скорость чтения/записи
2050/1650 МБ/сек

Тип контроллера

Тип Контроллера
Silicon Motion SM2263XT

Отзывы покупателей

0
0 отзывов

Популярные запросы

Популярные категории

Популярные бренды

Популярные запросы