Магазин электроники
-
Каталог товаров
-
Компьютеры и комплектующие
-
Накопители и аксессуары
-
SSD накопители
-
SSD-накопитель M.2 NVMe 256Гб GoodRam PX500
-
Код товара: НТ35186
Код товара скопирован!
`
SSD-накопитель M.2 NVMe 256Гб GoodRam PX500
Увеличить
SSD-накопитель M.2 NVMe 256Гб GoodRam PX500
1 / 1

SSD-накопитель M.2 NVMe 256Гб GoodRam PX500

★ ★ ★ ★ ★
0 отзывов
SSD-накопитель M.2 NVMe 256Гб GoodRam PX500 (SSDPR-PX500-256-80); 1850/950 МБ/сек; 1.5 млн.ч; Silicon Motion SM2263XT; 3bit TLC 3D NAND
Нет в наличии
Кешбэк: 165 ₽
СБП При СБП: 329 ₽
?
При оплате по cистеме быстрых платежей двойной кешбек 329 ₽
3 290 ₽
Гарантия 12 мес.
Оплату принимаем
Наличными
Оплата картой (любого банка)
Оплата онлайн по системе быстрых платежей дает двойной кешбек
Курьерская доставка
Доставка 1-2 дня
14 дней обмен/возврат
Бесплатная доставка при заказе на сумму от 10 000 руб. по Донецку и Макеевке.

Описание товара

256 ГБ SSD M.2 накопитель Goodram PX500 [SSDPR-PX500-256-80] изготовлен в форм-факторе 2280 и снабжен чипами памяти TLC 3D NAND, работой которых управляет контроллер Silicon Motion SM2263XT. Модель с односторонним расположением чипов памяти поддерживает скорость считывания до 1850 МБайт/сек, при скорость записи цифровых данных находится на уровне 950 МБайт/сек. Такие высокие показатели скорости обмена данными стали возможны благодаря использованию в данном диске интерфейса подключения PCI-E 3.0 x4. M.2 накопитель Goodram PX500 [SSDPR-PX500-256-80] отличается объемом 256 ГБ и станет оптимальным вариантом в качестве логического диска ПК или ноутбука, на котором установлены ОС и наиболее ресурсоемкий софт. Позволяющий увеличить быстродействие системы накопитель имеет среднее время работы между отказами 1.5 млн ч. Он работает полностью бесшумно, привлекает низким уровнем энергопотребления и нагрева.

Технические характеристики

Средняя наработка на отказ
1.5 млн.ч

Объем и подключение

Объем накопителя
256 Гб
Форм-фактор
M.2 NVMe
Интерфейс
PCI-E 3.1 x4
NVMe
есть

Конфигурация

Контроллер
Silicon Motion SM2263XT
Количество бит на ячейку
3 бит TLC
Структура памяти
3D NAND

Показатели скорости

Последовательное чтение
1850 Мб/сек
Последовательная запись
950 Мб/сек
Случайное чтение (4 Кб, QD32)
148 000 IOPS
Случайная запись (4 Кб, QD32)
135 000 IOPS

Эксплуатация

Время наработки на отказ (MTBF)
1.5 млн. часов
Ресурс записи (TBW)
170 Тб

Габариты и конструкция

Радиатор в комплекте
есть
Длина
80 мм
Ширина
22 мм
Толщина
3.5 мм

Скорость чтения

Скорость чтения/записи
1850/950 МБ/сек

Тип контроллера

Тип Контроллера
Silicon Motion SM2263XT

Отзывы покупателей

0
0 отзывов

Популярные запросы

Популярные категории

Популярные бренды

Популярные запросы