Samsung

SSD-накопитель M.2 NVMe 1Тб Samsung 980

SSD-накопитель M.2 NVMe 1Тб Samsung 980 (MZ-V8V1T0BW); 3500/3000 МБ/сек; 1.5 млн.ч; Samsung Pablo; 3bit MLC V-NAND

Способы получения

Доставка

Доставка 2-5 дней по ДНР

Самовывоз

Сейчас нет в магазинах

Бесплатная доставка при заказе от 50 000 ₽ по Донецку и Макеевке

14 дней на обмен и возврат

Гарантия

12 мес.

Условия доставки и оплаты
Нет в наличии
24 990 ₽

Оставьте телефон — менеджер уточнит срок поставки и цену

Кешбэк: 1 250 ₽
Кешбэк при СБП: 2 499 ₽

Оплату принимаем

НаличнымиКартой любого банка РФОнлайн по СБП

Описание

1000 ГБ SSD M.2 накопитель Samsung 980 [MZ-V8V1T0BW] – это бескомпромиссное решение, которое сочетает в себе большую емкость и высокую производительность. Благодаря этим особенностям данная модель может стать отличным выбором для игровых систем и профессиональных рабочих станций, обеспечивая высокий уровень быстродействия как при работе с отдельными файлами, так и всей системы в целом. Основой Samsung 980 являются чипы NAND, которые вкупе со специальным контроллером отличаются высокой скоростью работы. Помимо этого, модель оснащена интерфейсом PCI-E 3.0, благодаря которому данные могут записываться и считываться на скорости до 3000 и 3500 МБ/с соответственно. Другой особенностью диска является высокая надежность, что может обеспечить стабильную работу и сохранность данных в различных условиях. Также накопитель поддерживает аппаратное шифрование для обеспечения надежной защиты информации. Диск выполнен в корпусе формата 2280, где первые 2 цифры – ширина модуля, а вторые 2 – его длина. Толщина изделия составляет всего 2.38 мм. Энергопотребление диска не превышает 3.7 Вт. Накопитель поставляется в фирменной упаковке.

Характеристики

Основные характеристики

Форм-фактор
M.2 NVMe
Объём памяти
1Тб
Тип чипов памяти
3bit MLC V-NAND

Средняя наработка на отказ
1.5 млн.ч

Объем и подключение

Объем накопителя
1 Тб
Форм-фактор
M.2 NVMe
Интерфейс
PCI-E 3.1 x4
NVMe
есть

Конфигурация

Контроллер
Samsung Pablo
Количество бит на ячейку
3 бит MLC
Структура памяти
V-NAND

Показатели скорости

Последовательное чтение
3500 Мб/сек
Последовательная запись
3000 Мб/сек
Случайное чтение (4 Кб, QD32)
500 000 IOPS
Случайная запись (4 Кб, QD32)
480 000 IOPS

Эксплуатация

Время наработки на отказ (MTBF)
1.5 млн. часов
Ресурс записи (TBW)
600 Тб
Количество перезаписей (DWPD)
33%

Габариты и конструкция

Длина
80.15 мм
Ширина
22.15 мм
Толщина
2.38 мм

Скорость чтения

Скорость чтения/записи
3500/3000 МБ/сек

Тип контроллера

Тип Контроллера
Samsung Pablo