Код товара: НТ42297

Код товара скопирован!

SSD-накопитель 2.5" 2Тб Samsung 870 EVO

Name: SSD-накопитель 2.5" 2Тб Samsung 870 EVO
Brand: Samsung
SKU: 870 EVO
Price: 18990 RUB
Availability: InStock

SSD-накопитель 2.5" 2Тб Samsung 870 EVO (MZ-77E2T0BW); 560/530 МБ/сек; 1.5 млн.ч; Samsung MKX; 3bit MLC V-NAND

Наличие товара в магазинах:

:г. Донецк, ул. Артёма, 130 (ТРЦ "Донецк-Сити")
:г. Донецк, ул. Первомайская, 51, 1 этаж (ТЦ "Континент")
:г. Донецк, МКР Текстильщик, ул. Терешковой 1Д
:г. Донецк, ул. 230-й Стрелковой Дивизии, 9А
:г. Горловка, проспект Победы, 30
:г. Енакиево, проспект Ленина, 96
:г. Снежное, ул. Крестьянская, 43 (ТЦ "Шахтер")
:г. Донецк, ул. Горького 151а
:Курьерская доставка (Центральный склад)

Кешбэк: 880 ₽

17 590

18 990 ₽

Гарантия 12 мес.

Оплату принимаем

Наличными

Карта ПСБ

Курьерская доставка

Доставка 1-2 дня

Бесплатная* от 10 000 руб.

14 дней обмен/возврат

Описание

Надежный SSD накопитель SAMSUNG 870 EVO MZ-77E2T0BW подойдет как для новой машины, так и для модернизации уже существующего ПК. Он обладает гарантийным сроком продолжительностью в целых 60 месяцев - это 5 лет. Модель отличается тонким корпусом, толщина которого 6.8 мм. В режиме ожидания потребляемая мощность не превышает 0.035 Вт. При обычном функционировании изделие также отличается экономичностью - всего 4.5 Вт. Ресурс TBW достигает целых 1200 Тб. Скорость произвольной записи данных у SSD накопителя SAMSUNG 870 EVO MZ-77E2T0BW равна 88000, а чтения - 98000. Производитель реализовал здесь память типа NAND 3D TLC. Контроллер NAND - Samsung MGX. Время наработки на отказ равно 1500000 ч. Максимальная скорость записи равна 530 Мб/с, а чтения - 560 Мб/с. Производитель оснастил изделие распространенным интерфейсом SATA III. Его форм-фактор - 2.5". Объем памяти равен 2 Тб.

Характеристики

Средняя наработка на отказ

1.5 млн.ч

Объем и подключение

Объем накопителя

2 Тб

Форм-фактор

2.5"

Интерфейс

SATA III (6 Гбит/с)

NVMe

нет

Конфигурация

Контроллер

Samsung MKX

Количество бит на ячейку

3 бит MLC

Структура памяти

V-NAND

Буферная память (DRAM)

2048 Мб

Показатели скорости

Последовательное чтение

560 Мб/сек

Последовательная запись

530 Мб/сек

Случайное чтение (4 Кб, QD32)

98 000 IOPS

Случайная запись (4 Кб, QD32)

88 000 IOPS

Эксплуатация

Время наработки на отказ (MTBF)

1.5 млн. часов

Ресурс записи (TBW)

1200 Тб

Количество перезаписей (DWPD)

33%

Габариты и конструкция

Длина

100 мм

Ширина

69.85 мм

Толщина

6.8 мм

Скорость чтения

Скорость чтения/записи

560/530 МБ/сек

Тип контроллера

Тип Контроллера