Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO построен на базе собственного контроллера Samsung. Его ключевая особенность — поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2, что обеспечивает высокую производительность на большинстве устройств. Скорость передачи данных достигает 5000/4200 МБ/с при последовательном чтении/записи, а также 680 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи.
В накопителе применяются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, которые отличаются повышенной скоростью и стабильностью благодаря оптимизированному блоку ввода-вывода (IO).
-
Средняя наработка на отказ
1.5 млн.ч
Объем и подключение
-
Объем накопителя
1 Тб
-
Форм-фактор
M.2 NVMe
-
Интерфейс
PCI-E 4.0 x4
-
NVMe
есть
Конфигурация
-
Количество бит на ячейку
3 бит MLC
-
Структура памяти
3D NAND
Показатели скорости
-
Последовательное чтение
5000 Мб/сек
-
Последовательная запись
4200 Мб/сек
-
Случайное чтение (4 Кб, QD32)
680 000 IOPS
-
Случайная запись (4 Кб, QD32)
800 000 IOPS
Эксплуатация
-
Время наработки на отказ (MTBF)
1.5 млн. часов
-
Ресурс записи (TBW)
600 Тб
-
Количество перезаписей (DWPD)
32%
Габариты и конструкция
-
Длина
80 мм
-
Ширина
22 мм
-
Толщина
2.35 мм
Скорость чтения
-
Скорость чтения/записи
5000/4200 МБ/сек
К сожалению, отзывы на данный момент недоступны.