Магазин электроники
-
Каталог товаров
-
Компьютеры и комплектующие
-
Накопители и аксессуары
-
SSD накопители
-
SSD-накопитель M.2 NVMe 500Гб Samsung 980
-
Код товара: НТ42050
Код товара скопирован!
`
Скидка
SSD-накопитель M.2 NVMe 500Гб Samsung 980
Увеличить
SSD-накопитель M.2 NVMe 500Гб Samsung 980
1 / 1

SSD-накопитель M.2 NVMe 500Гб Samsung 980

★ ★ ★ ★ ★
0 отзывов
SSD-накопитель M.2 NVMe 500Гб Samsung 980 (MZ-V8V500BW); 3100/2600 МБ/сек; 1.5 млн.ч; Samsung Pablo; 3bit MLC V-NAND
Нет в наличии
Кешбэк: 325 ₽
СБП При СБП: 649 ₽
?
При оплате по cистеме быстрых платежей двойной кешбек 649 ₽
6 490
6 990 ₽
Гарантия 12 мес.
Оплату принимаем
Наличными
Оплата картой (любого банка)
Оплата онлайн по системе быстрых платежей дает двойной кешбек
Курьерская доставка
Доставка 1-2 дня
14 дней обмен/возврат
Бесплатная доставка при заказе на сумму от 10 000 руб. по Донецку и Макеевке.

Описание товара

500 ГБ SSD M.2 накопитель Samsung 980 [MZ-V8V500BW] — это производительное решение, которое обеспечит высокую скорость работы вашего компьютера в самых разных задачах. Основой модели выступают чипы памяти типа NAND с поддержкой технологии NVMe, а также микропроцессор Samsung Pablo Controller, что вкупе с разъемом PCI-E 3.0 x4, используемым для подключения к материнской плате, позволяет достичь скорости записи и чтения до 2600 и 3500 МБ/с соответственно. Помимо этого диск отличается своей надежностью — его рабочий ресурс достигает 300 TBW, а среднее время наработки на отказ достигает 1.5 млн ч. SSD M.2 накопитель Samsung 980 [MZ-V8V500BW] — это не только производительное, но и компактное решение. Корпус соответствует формату 2280, где 22.15 мм — ширина модуля, а 80.15 мм — его длина. Толщина планки составляет всего 2.38 мм. Монтаж на материнскую плату производится при помощи ключа типа M.

Технические характеристики

Средняя наработка на отказ
1.5 млн.ч

Объем и подключение

Объем накопителя
500 Гб
Форм-фактор
M.2 NVMe
Интерфейс
PCI-E 3.1 x4
NVMe
есть

Конфигурация

Контроллер
Samsung Pablo
Количество бит на ячейку
3 бит MLC
Структура памяти
V-NAND

Показатели скорости

Последовательное чтение
3100 Мб/сек
Последовательная запись
2600 Мб/сек
Случайное чтение (4 Кб, QD32)
400 000 IOPS
Случайная запись (4 Кб, QD32)
470 000 IOPS

Эксплуатация

Время наработки на отказ (MTBF)
1.5 млн. часов
Ресурс записи (TBW)
300 Тб
Количество перезаписей (DWPD)
33%

Габариты и конструкция

Длина
80.15 мм
Ширина
22.15 мм
Толщина
2.38 мм

Скорость чтения

Скорость чтения/записи
3100/2600 МБ/сек

Тип контроллера

Тип Контроллера
Samsung Pablo

Отзывы покупателей

0
0 отзывов

Популярные запросы

Популярные категории

Популярные бренды

Популярные запросы